特許

J-GLOBAL ID：200903004717362579

基板処理方法

発明者： 戸島 孝之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036710
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247573
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】high-k材料からなるゲート絶縁膜を備えた基板から、この基板に形成された他の配線要素にダメージを与えずに、ゲート酸化膜を除去する基板処理方法を提供する。【解決手段】フィールド酸化膜60が形成されたウエハWの活性領域に、極薄酸化膜61とハフニウム系酸化膜62を形成し、さらにハフニウム系酸化膜62の表面にポリシリコンゲート63aを形成する。ウエハWをオゾンと水蒸気を含む処理ガスで処理することにより、ハフニウム系酸化膜62のうちポリシリコンゲート63aの下の部分を除いた部分を変性させ、ウエハWを所定の薬液で処理することにより、このハフニウム系酸化膜62において変性した部分をウエハWから除去する。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

high-k材料からなるゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備えた基板の基板処理方法であって、 前記基板をオゾンと水蒸気を含む処理ガスで処理することによって、前記ゲート絶縁膜のうち前記ゲート電極の下に位置する部分以外の部分を変性させる工程と、 前記基板を所定の薬液で処理することにより、前記ゲート絶縁膜の変性した部分を前記基板から除去する工程と、 前記基板を水洗処理する工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/306 ,  H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/306 D ,  H01L29/78 301G

Fターム (39件)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043DD02 ,  5F043GG10 ,  5F140AA26 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG56 ,  5F140BG58 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK19 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140CB01 ,  5F140CE05 ,  5F140CE07 ,  5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-322755   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-231786   出願人：富士通株式会社
• 半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331555   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ