半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322755
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234325
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】熱処理等によって表面が変質した絶縁性金属酸化膜をウェットエッチングによって確実に除去できるようにする。【解決手段】 HfO2 膜12が堆積されたシリコン基板11に対して熱処理を行なった後、熱処理後のHfO2 膜12aの表面をプラズマに暴露し、その後、熱処理後のHfO2 膜12aの表面部、つまりダメージ層12bをウェットエッチングにより除去する。

請求項（抜粋）：

金属酸化膜が堆積された基板に対して熱処理を行なう第1の工程と、前記熱処理が行なわれた前記金属酸化膜の表面をプラズマに暴露する第2の工程と、前記プラズマに暴露された前記金属酸化膜の少なくとも表面部をウェットエッチングにより除去する第3の工程とを備えていることを特徴とするウェットエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/306 D , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

Fターム (40件)：

5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043DD02 , 5F043GG10 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (8件)

5酸化タンタル膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090211 出願人：富士通株式会社
拡散障壁を有するゲート誘電体を備えた半導体デバイスおよびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-047192 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-089286 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (10件)

特開平3-050825
特開平3-050825
薄膜のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-284166 出願人：株式会社日立製作所

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