特許
J-GLOBAL ID：200903004735344081

半導体発光素子の製造方法

発明者：
金田 直樹

金田 直樹 について

, 
成田 好伸

成田 好伸 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-198581
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028121
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】 Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層の発光効率向上が図れる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層を有する半導体発光素子の製造方法において、多重量子井戸構造の障壁層と井戸層の成長界面で、III族原料ガスの供給を停止する成長中断工程を有し、障壁層成長終了から井戸層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間t1と、井戸層成長終了から障壁層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間t2が、t1<t2を満たす。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層を有する半導体発光素子の製造方法において、 前記多重量子井戸構造の障壁層と井戸層の成長界面で、III族原料ガスの供給を停止する成長中断工程を有し、 前記障壁層成長終了から前記井戸層成長開始に至るまでの前記成長中断工程の時間t1と、前記井戸層成長終了から前記障壁層成長開始に至るまでの前記成長中断工程の時間t2が、t1<t2を満たすこと を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205
Fターム (24件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB00 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045EE13 ,  5F045EE18 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ15 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR23
引用特許：
出願人引用 (3件)

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