特許

J-GLOBAL ID：200903057289086886

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 花岡 大介 ,  湯浅 貴之 ,  古川 勝紀 ,  小河 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256482
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085735
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体装置において、バリア層による活性層への格子歪の影響による光学特性の劣化を抑制し、良好な特性を持つ半導体発光素子を得る。【解決手段】 バリア層による活性層付近での格子歪の分布を適切な状態にするため、バリア層の組成の変化率、層厚を規定することにより、良好な特性を持つ半導体発光素子を得て、上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系化合物半導体を用いて作製された、ダブルへテロ構造を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、活性層としてのIn<SB>[x]</SB>Ga<SB>[1</SB>-<SB>x]</SB>N(0≦x≦1)層に接する半導体層がAl<SB>[y]</SB>Ga<SB>[1-y]</SB>N(0≦y≦1)であり、該半導体層の活性層に接する部分でのAl組成をy1、活性層に接する側と反対側の部分でのAl組成をy2とし、前記半導体層の層厚をt[nm]すると、0.1≦y1≦0.5、0≦y2<y1、0<(y1-y2)/t≦0.005であることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA58 ,  5F041CA77 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• GaN系発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311441   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077811   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-118520   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-142681   出願人：松下電器産業株式会社