半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238395
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097238
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】複雑な工程及び複雑な構造を必要とせず、安価で、かつ容易にショットキー電極の耐圧を向上させ、ショットキー電極のリーク電流を低減することができる半導体素子の製造方法を提供する。【構成】化合物半導体基板1上部の能動層2の上にソース電極3及びドレイン電極4を形成する。ソース及びドレイン電極3,4間において能動層2にプラズマ処理を施して改質層2aを形成し、当該改質層2aの上にショットキー接合するゲート電極7aを設ける。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上部に形成された能動層とショットキー接合をなすショットキー電極を有する半導体素子において、前記能動層のショットキー電極が形成された領域及びその近傍のうち少なくとも一部に、改質層が形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/324 , H01L 29/93

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-057228
特開平3-201569
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210486 出願人：日本鉱業株式会社

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