特許

J-GLOBAL ID：200903004747672475

結晶系シリコン薄膜光起電力素子、その製造方法、及びその評価方法

発明者： 堀江 哲弘 ,  森田 章二 ,  園部 裕之 ,  西宮 立享 ,  近藤 勝彦 ,  山口 賢剛 ,  竹内 良昭
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040187
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246622
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 低コストで容易に製造でき、効率向上に必要とされる膜質、あるいはその膜の評価方法の問題点を克服することができる結晶系シリコン薄膜光起電力素子、その製造方法、およびその評価方法を提供する。【解決手段】 昇温脱離法による水素放出スペクトルにおいて200°C未満の温度領域に水素放出ピークを持つ結晶系シリコン膜を発電層として用いる。

請求項（抜粋）：

昇温脱離法による水素放出スペクトルにおいて200°C未満の温度領域に水素放出ピークを持つ結晶系シリコン膜を発電層として用いることを特徴とする結晶系シリコン薄膜光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (30件)：

5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA68 ,  5F045EH04 ,  5F045EH20 ,  5F045GB11 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 微結晶シリコン膜の形成方法、および光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-033456   出願人：キヤノン株式会社
• 光起電力素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-016405   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-308789   出願人：三菱重工業株式会社
• 半導体薄膜および薄膜デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-206605   出願人：鐘淵化学工業株式会社