特許
J-GLOBAL ID：200903041127671994
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274540
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 優れた光電変換効率を有し劣化の少ない光起電力素子を、低コストで提供する。【解決手段】 支持基板上に、水素を含有するn型シリコン系半導体層、水素を含有するi型シリコン系半導体層、水素を含有するp型シリコン系半導体層、を順に積層する工程を少なくとも有する光起電力素子の製造方法であって、少なくともn型非晶質半導体層とn型微結晶半導体層とを積層することによって前記n型シリコン系半導体層を形成する工程と、該n型シリコン系半導体層を熱処理する工程と、該熱処理されたn型シリコン系半導体層上にi型微結晶シリコン系半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法及び該方法を用いて製造された光起電力素子を提供する。
請求項（抜粋）：
支持基板上に、水素を含有するn型シリコン系半導体層、水素を含有するi型シリコン系半導体層、水素を含有するp型シリコン系半導体層、を順に積層する工程を少なくとも有する光起電力素子の製造方法であって、少なくともn型非晶質半導体層とn型微結晶半導体層とを積層することによって前記n型シリコン系半導体層を形成する工程と、該n型シリコン系半導体層を熱処理する工程と、該熱処理されたn型シリコン系半導体層上にi型微結晶シリコン系半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
