特許
J-GLOBAL ID：200903067422832826
微結晶シリコン膜の形成方法、および光起電力素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-033456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233801
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 良質で低コストの微結晶シリコン膜を高速で形成することができる微結晶シリコン膜の形成方法を提供する。【解決手段】 少なくともシリコン化合物を含む原料ガスを用いて、高周波プラズマCVD法により微結晶シリコン膜を形成する方法であって、形成圧力をP(torr)、原料ガスの総流量をM(sccm)、形成室の容積をV(cm<SP>3</SP> )、原料ガスの形成室内滞留時間をτ(ms)とし、かつ滞留時間τをτ(ms)=78.9×V×P/Mと定義したとき、τ<40となる。
請求項（抜粋）：
少なくともシリコン化合物を含む原料ガスを用いて、高周波プラズマCVD法により微結晶シリコン膜を形成する微結晶シリコン膜の形成方法において、形成圧力をP(torr)、原料ガスの総流量をM(sccm)、形成室の容積をV(cm<SP>3</SP> )、原料ガスの形成室内滞留時間をτ(ms)とし、かつ滞留時間τをτ(ms)=78.9×V×P/Mと定義したとき、τ<40となることを特徴とする微結晶シリコン膜の形成方法。
引用特許：
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