半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木村満 , 毛受隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349556
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】高い耐圧を容易に実現可能な半導体素子を提供する。【解決手段】半導体基板11は、その一面を構成するn型のドリフト領域11aを有する。半導体素子セルを構成するp型のセル半導体領域21は、ドリフト領域11aの表面領域の所定部分に形成されている。複数のリサーフ領域22,23は、セル半導体領域21よりも低い不純物濃度を有するp型の半導体領域から構成され、セル半導体領域21を包囲するように、ドリフト領域11aの表面領域に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一面に、第1導電型の第1半導体領域を有する半導体基板と、前記第1半導体領域の表面領域の所定部分に形成される第2導電型の第2半導体領域と、前記第1半導体領域の表面領域に形成され、前記第2半導体領域を包囲するリサーフ領域と、を備え、前記リサーフ領域は、前記第2半導体領域よりも低い不純物濃度を有する、第2導電型の複数の第3半導体領域から構成され、前記第2半導体領域を複数重に包囲する、ことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L29/06 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/06 301G , H01L29/78 652J , H01L29/78 652P , H01L29/78 655F

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-115582 出願人：株式会社日立製作所
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-206799 出願人：株式会社東芝
電力用半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-098211 出願人：株式会社東芝

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