特許
J-GLOBAL ID:200903004772931108
半導体ウェハ加工用ベースフィルム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三原 秀子
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2004004943
公開番号(公開出願番号):WO2004-090962
出願日: 2004年04月06日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる、高温下ならびに高湿下での優れた寸法安定性、平滑性、機械強度、および優れた加工適正を有する半導体ウェハ加工用ベースフィルムが提供される。 このフィルムは、ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる二軸配向フィルムであって、200°Cで10分間熱処理した際のフィルムの熱収縮率が、フィルムの製膜方向および幅方向のいずれも1.00%以下である半導体ウェハ加工用ベースフィルムからなる。
請求項(抜粋):
ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる二軸配向フィルムであって、200°Cで10分間熱処理した際のフィルムの熱収縮率が、フィルムの製膜方向および幅方向のいずれも1.00%以下であることを特徴とする半導体ウェハ加工用ベースフィルム。
IPC (5件):
C08J 5/18
, B32B 27/36
, C09J 7/02
, H01L 21/304
, H01L 21/301
FI (5件):
C08J5/18
, B32B27/36
, C09J7/02 Z
, H01L21/304 622J
, H01L21/78 M
Fターム (47件):
3C058AA02
, 3C058AB04
, 3C058CB03
, 3C058DA17
, 4F071AA45
, 4F071AA81
, 4F071AF20Y
, 4F071AF31Y
, 4F071AF61Y
, 4F071AH12
, 4F071AH13
, 4F071BA01
, 4F071BB06
, 4F071BB08
, 4F071BC01
, 4F071BC12
, 4F071BC16
, 4F100AK25
, 4F100AK41A
, 4F100AR00B
, 4F100AR00C
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100DD07A
, 4F100EJ38
, 4F100GB41
, 4F100JA03
, 4F100JA13A
, 4F100JB08A
, 4F100JK07A
, 4F100JK15
, 4F100JK16A
, 4F100JL04
, 4F100JL13B
, 4F100JL14C
, 4F100YY00
, 4J004AA10
, 4J004AB01
, 4J004CA06
, 4J004CC02
, 4J004DB02
, 4J004FA05
, 4J004FA08
引用特許: