特許
J-GLOBAL ID:200903004772931108

半導体ウェハ加工用ベースフィルム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三原 秀子
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2004004943
公開番号(公開出願番号):WO2004-090962
出願日: 2004年04月06日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる、高温下ならびに高湿下での優れた寸法安定性、平滑性、機械強度、および優れた加工適正を有する半導体ウェハ加工用ベースフィルムが提供される。 このフィルムは、ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる二軸配向フィルムであって、200°Cで10分間熱処理した際のフィルムの熱収縮率が、フィルムの製膜方向および幅方向のいずれも1.00%以下である半導体ウェハ加工用ベースフィルムからなる。
請求項(抜粋):
ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる二軸配向フィルムであって、200°Cで10分間熱処理した際のフィルムの熱収縮率が、フィルムの製膜方向および幅方向のいずれも1.00%以下であることを特徴とする半導体ウェハ加工用ベースフィルム。
IPC (5件):
C08J 5/18 ,  B32B 27/36 ,  C09J 7/02 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/301
FI (5件):
C08J5/18 ,  B32B27/36 ,  C09J7/02 Z ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/78 M
Fターム (47件):
3C058AA02 ,  3C058AB04 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  4F071AA45 ,  4F071AA81 ,  4F071AF20Y ,  4F071AF31Y ,  4F071AF61Y ,  4F071AH12 ,  4F071AH13 ,  4F071BA01 ,  4F071BB06 ,  4F071BB08 ,  4F071BC01 ,  4F071BC12 ,  4F071BC16 ,  4F100AK25 ,  4F100AK41A ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DD07A ,  4F100EJ38 ,  4F100GB41 ,  4F100JA03 ,  4F100JA13A ,  4F100JB08A ,  4F100JK07A ,  4F100JK15 ,  4F100JK16A ,  4F100JL04 ,  4F100JL13B ,  4F100JL14C ,  4F100YY00 ,  4J004AA10 ,  4J004AB01 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004DB02 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る