特許
J-GLOBAL ID：200903004786781311

マイクロ波プラズマ処理装置及び方法

発明者：
本郷 俊明

本郷 俊明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085675
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277508
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、処理媒体の品質を維持しつつプラズマ熱の弊害を除去すると共にプラズマ熱に弱い部材が複数存在する場合にそれらを簡易に温度制御することを可能にするマイクロ波プラズマ処理装置及び方法を提供することを例示的な目的とする。【解決手段】 熱伝導率の高い遅波材と多孔スロット電極を接触させ、遅波材の温度を制御することによって多孔スロット電極の温度も同時に制御することとして。また、処理室の温度は所定の処理温度を維持できるように独立に温度制御した。
請求項（抜粋）：
マイクロ波が導入されると当該マイクロ波の波長を短縮する波長短縮部材と、当該波長短縮部材に接続され、前記波長短縮部材を通過した前記マイクロ波を案内するスロット電極と、前記波長短縮部材及び前記スロット電極の温度を制御することができる第1の温度制御装置と、反応ガスを供給する反応ガス源及び真空ポンプに接続可能で被処理体を収納することができ、前記スロット電極を通過した前記マイクロ波と前記反応ガスが供給されると、減圧環境下で前記被処理体に所定の処理を施すことができる処理室とを有するマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B
Fターム (37件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA63 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA26 ,  4G075CA48 ,  4G075EB41 ,  4G075FC07 ,  4G075FC15 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA22 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K057DA20 ,  4K057DG02 ,  4K057DG20 ,  4K057DM29 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F045AA09 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD04 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK21 ,  5F045EM05 ,  5F045GB15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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