多層拡張ドレイン構造を有する高電圧トランジスタを作製する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-258264
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204064
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供する。【解決手段】拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板10上に第一の導電型であるエピタキシャル層101を形成し、そして、エピタキシャル層101をエッチングして、エピタキシャル層101の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。各溝部の一部には、第一及び第二の側壁部をカバーするように、誘電体層102a,102bが充填される。そして、溝部の残りの部分に導電材料が充填されて、基板及びエピタキシャル層から絶縁された第一及び第二のフィールドプレート部103a,103bが形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に第一の導電型で上面を有するエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層をエッチングして、第一及び第二の側壁部があるメサを規定する一対の離間した溝部を形成し、各溝部を部分的に充填するとともに第一及び第二の側壁部をカバーする誘電体層を各溝部に形成し、溝部の残りの部分を導電材料で充填して、基板及びエピタキシャル層から絶縁された第一及び第二のフィールドプレート部材を形成する、ことを具備することを特徴とする高電圧トランジスタの拡張ドレイン領域を作製する方法。

IPC (8件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 654 , H01L 29/78 656 , H01L 21/336 , H01L 29/06 301 , H01L 29/786

FI (12件)：

H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 654 Z , H01L 29/78 656 B , H01L 29/06 301 F , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 G , H01L 29/78 658 Z , H01L 29/78 301 D , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 616 S

Fターム (34件)：

5F110AA11 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110CC09 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110DD30 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110GG22 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AB04 , 5F140AC02 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140AC36 , 5F140BA16 , 5F140BB04 , 5F140BB06 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BH25 , 5F140BH30 , 5F140BH41 , 5F140BH43 , 5F140BH45 , 5F140BH47 , 5F140BH49 , 5F140CD09

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-260709 出願人：株式会社東芝
縦型MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-161804 出願人：富士電機株式会社
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-215318 出願人：株式会社東芝

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