磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-012660
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210126
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】周囲からの磁気的な影響を低減し、安定した磁気情報の書込をおこなうことのできる、高集積化に適した磁気トンネル接合型メモリセルを提供する。【解決手段】本発明では、基板90上に下部電極35を介して設けられた円形の水平断面を有するMTJ素子10が、基板90の側からシード層75と、下部反強磁性層70と、SyAP層60と、トンネルバリア層50と、一軸磁気異方性を有する磁化自由層40と、この磁化自由層40と交換結合した上部反強磁性層45と、保護層47とを順に有するようにしたので、形状の不規則性などに伴う磁界変動の影響が抑制される。よって、高集積化した場合であっても安定した磁気情報の書込をおこなうことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体を用意する工程と、前記基体上に、シード層と、下部反強磁性層と、シンセティック反強磁性被固定層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、上部反強磁性層と、保護層とを順に形成してなる積層膜を形成する工程と、前記積層膜を外部磁界中においてアニール処理することにより、前記シンセティック反強磁性被固定層の磁化方向の設定および前記上部反強磁性層と前記磁化自由層との交換結合の形成を行い、前記磁化自由層における一軸磁気異方性を形成する工程と、水平断面形状が円形となるように前記積層膜をパターニングすることにより磁気トンネル接合素子を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気トンネル接合型メモリセルの製造方法。

IPC (3件)：

H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10

Fターム (4件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA39 , 5F083PR04

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第5650958号明細書
米国特許第6226160B1号明細書
米国特許第6166948号明細書

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審査官引用 (7件)

低切替磁界磁性トンネル接合
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-560586 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
磁気検出素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-120832 出願人：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-257265 出願人：株式会社日立製作所

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引用文献：

審査官引用 (1件)

International Technology Roadmap for Semiconductors 1998 Update

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