特許
J-GLOBAL ID：200903004835195466

発光装置

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 石井 久夫 ,  田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-314854
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123613
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】光の取出し効率の高い発光装置を提供する。【解決手段】本発明の発光装置1は、n型窒化物半導体層22と、該n型窒化物半導体層22に積層したp型窒化物半導体層24と、該p型窒化物半導体層24の表面に形成されたp側電極25と、を有する発光ダイオード2と、前記n型窒化物半導体層22と電気的に接続するn側導電部43と、前記p側電極25と電気的に接続するp側導電部45と、を有する実装基板4と、前記実装基板4と前記発光ダイオード2とを接着する樹脂接着層62と、該樹脂接着層62に分散された導電粒子64とを含む異方性導電層6と、を備え、前記導電粒子64は、少なくとも表面が金属材料から形成され、前記n型窒化物半導体22及び前記n側導電部43と直接接触し、前記p側電極25及び前記p側導電部45と直接接触していることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層に積層したp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層の表面に形成されたp側電極と、を有する発光素子と、 前記n型窒化物半導体層と電気的に接続するn側導電部と、前記p側電極と電気的に接続するp側導電部と、を有する実装基板と、 前記実装基板と前記発光素子を接着する樹脂接着層と、該樹脂接着層に分散された導電粒子とを含む異方性導電層と、を備え、 前記導電粒子は、少なくとも表面が金属材料から形成され、前記n型窒化物半導体及び前記n側導電部と直接接触していることを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (17件)：
5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA06 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335390   出願人：豊田合成株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-161714   出願人：松下電子工業株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-176709   出願人：株式会社シチズン電子
審査官引用 (3件)

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