特許
J-GLOBAL ID：200903004842698341

アクティブマトリクス基板およびこれを用いた電気光学装置と電子機器

発明者：
河田 英徳

河田 英徳 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-098991
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 画素開口率を低減することなく蓄積容量の増大を図り、しかも光リーク電流を効果的に防止できるアクティブマトリクス基板の提供。【解決手段】 基板10上に、相交差する走査線3aとデータ線6aと、走査線3aとデータ線6aに接続されたTFT30と、TFT30に接続された画素電極9aと、電極9aに接続された画素電位側容量電極302と該電極302に誘電体膜301を介して対向配置された固定電位側容量電極300からなる蓄積容量70-1とを備え、容量電極302及び容量電極300のうち少なくとも一方は遮光性を有し、TFT30の少なくともチャネル領域1a’の周囲に1つ以上の第1の穴91が設けられ、第1の穴91内に蓄積容量70-1を延設して埋め込んだ穴内蓄積容量部95が設けられたアクティブマトリクス基板。
請求項（抜粋）：
基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に接続されたトランジスタと、該トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と該画素電位側容量電極に誘電体膜を介して対向配置された固定電位とされる固定電位側容量電極からなる蓄積容量とを備えてなり、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極のうち少なくとも一方は遮光性を有し、前記トランジスタの少なくともチャネル領域の周囲に1つ以上の第1の穴が設けられ、該第1の穴内に前記蓄積容量を延設して埋め込んだ遮光性を有する穴内蓄積容量部が設けられたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (4件)：
G02F 1/1368 ,  G03B 21/00 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G03B 21/00 E ,  G09F 9/30 349 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 B
Fターム (62件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092JB67 ,  2H092KA04 ,  2H092KB25 ,  2H092NA21 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2H092PA02 ,  2H092PA03 ,  2H092PA07 ,  2H092PA11 ,  2H092PA13 ,  2H092RA05 ,  5C094AA02 ,  5C094AA09 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA16 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094HA03 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN41 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
引用特許：
審査官引用 (3件)

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