ドライエッチング方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊沢敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035935
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213370
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 Siシリサイド等のSi系材料をドライエッチングする方法及び装置において、パーティクルを低減する。【構成】 ECR(又はマイクロ波)プラズマエッチング装置において、処理室10内の防着板12の一部にプラズマに接触するように密着層形成材24を設ける。形成材24としては、W等の高融点金属又はそのシリサイドを用いる。フォトレジスト層を形成したウエハ16を試料台14にセットした後、プラズマ処理(エージング)を行なうと、反応室10bの内壁にWCl5 ,WCl6 及びレジスト成分等を含む低硬度の密着層が形成される。この密着層は、エージング後のSi系材料のエッチング時にSiのハロゲン化酸化物が処理室内壁からはがれてパーティクルとなるのを防ぐ。形成材はウエハから供給してもよく、レジスト成分はガスから供給してもよい。

請求項（抜粋）：

処理室内でプラズマ処理によりエージングを行なった後、該処理室内でプラズマ処理によりシリコン系材料のエッチングを行なうドライエッチング方法であって、前記エージングでは、前記処理室の内壁に、該内壁の構成材料及びシリコンのハロゲン化酸化物のいずれよりも低硬度の密着層を形成することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-236484
スパッタエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-209104 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-188725

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