特許
J-GLOBAL ID：200903004891630825

研磨液及び研磨方法

発明者：
上村 哲也

上村 哲也 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-139395
公開番号（公開出願番号）：特開2009-289885
出願日： 2008年05月28日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】半導体集積回路の作製において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素から選択された1種を含む第2層と、を有した被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、(1)表面の珪素原子の一部または全部をアルミニウム原子に置き換えたコロイダルシリカ粒子、および(2)有機酸の各成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、下記(1)および(2)で示される各成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。 (1)表面の一部がアルミニウムで修飾されているコロイダルシリカ (2)有機酸
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (4件)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (6件)：
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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