半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-192652
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012922
出願日： 2005年06月30日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】微細化に対して有利な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面中に設けられた第1絶縁膜21と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第1絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第1絶縁膜よりも比誘電率が高い第1高誘電体膜22-1とを少なくとも備えたゲート絶縁膜12と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、CuまたはCuを主成分とするゲート電極13と、前記ゲート電極を挟むように前記半導体基板中に隔離して設けられたソースまたはドレイン15とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面中に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第1絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第1絶縁膜よりも比誘電率が高い第1高誘電体膜とを少なくとも備えたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、CuまたはCuを主成分とするゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように前記半導体基板中に隔離して設けられたソースまたはドレインとを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301R , H01L21/316 C , H01L21/316 M , H01L29/58 G , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/78 301P

Fターム (100件)：

4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD09 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH01 , 4M104HH05 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF41 , 5F058BF51 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F083EP03 , 5F083EP22 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP49 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER21 , 5F083GA02 , 5F083GA09 , 5F083JA03 , 5F083JA12 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA12 , 5F101BA14 , 5F101BA15 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD07 , 5F101BE07 , 5F101BH16 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD13 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF06 , 5F140BG04 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG26 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG44 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK34 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-061254 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (11件)

エッチング方法およびエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-369877 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
MOSFETの製造を目的とした置き換えゲートとしてシリコンゲルマニウムおよびその他の合金の使用
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-261913 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-307148 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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