マスク材料の変換

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 松本公雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-530053
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511991
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

ピッチが増倍されたスペーサ等のマスクパターンの寸法が、パターン内のフィーチャが形成された後で、フィーチャの制御された成長によって制御される。ピッチが増倍されたスペーサ175aのパターンを形成するために、まず、半導体基板110の上にマンドレルのパターンを形成する。次に、マンドレルの上に材料のブランケット層を堆積させ、スペーサ材料を水平面から選択的に除去することにより、マンドレルの側壁にスペーサを形成する。その後、マンドレルを選択的に除去し、自立スペーサのパターンを後に残す。スペーサは、酸化するとサイズが大きくなることで知られているポリシリコンやアモルファスシリコン等の材料を含む。スペーサを酸化して所望の幅95に成長させる。所望の幅に達した後、スペーサ175aは、下にある層150及び基板110をパターニングするためのマスクとして用いられ得る。有利なことに、酸化によってスペーサ175aを成長させるため、マンドレルの上に薄いブランケット層を堆積することができ、それにより、よりコンフォーマルなブランケット層を堆積させ、スペーサ形成用の処理窓を拡張することが可能となる。

請求項（抜粋）：

集積回路を製造するための方法であって、上にあるマスク層を有する基板を提供する工程と、マスク材料を酸化する工程と、前記マスク材料を酸化した後に、パターンを前記基板に転写する工程とを含み、前記マスク層が前記マスク材料及び開口部を含み、前記マスク材料及び前記開口部が前記パターンを形成している方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/321

FI (2件)：

H01L21/302 105A , H01L21/88 D

Fターム (51件)：

5F004AA04 , 5F004BA20 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB14 , 5F004DB15 , 5F004DB26 , 5F004EA03 , 5F004EA04 , 5F004EA06 , 5F004EA12 , 5F004EB02 , 5F033HH01 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ23 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ35 , 5F033QQ48 , 5F033QQ76 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033SS11 , 5F033VV16 , 5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭57-048237
微細パタ-ンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150797 出願人：株式会社東芝
アモルファスカーボン層の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-171368 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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