磁気抵抗効果素子、およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：須山佐一 , 川原行雄 , 山下聡 , 須山英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-094474
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252008
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】CCP-CPP素子のMR変化率を向上させる。【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層及び前記磁化自由層の少なくとも一方の層中又は層表面に、Si、Mg、B、Alを含む機能層を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と、前記磁化自由層に対して前記スペーサ層が形成された側とは反対側に配置される薄膜層とを有し、前記磁化固着層、または前記磁化自由層、または前記薄膜層の少なくとも一層の層中又は層表面に形成された、Si、Mg、B、Alを含む機能層と、を具えることを特徴とする、磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/10 , H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 10/32 , G01R 33/09

FI (7件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/10 , H01L43/12 , G11B5/39 , H01F10/32 , G01R33/06 R

Fターム (61件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD63 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119DD04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA06 , 5D034CA06 , 5E049BA25 , 5F092AA02 , 5F092AB02 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB04 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB15 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB51 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE25

引用特許：

出願人引用 (3件)

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-025994 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-246583 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-322041 出願人：株式会社東芝

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