半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326964
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150668
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】金属ゲート電極構造を用いた極微細CMOSトランジスタのnMOSFET、pMOSFETともに低い閾値電圧を実現する。【解決手段】金属ゲート電極12を有するCMOSFETを形成した半導体装置において、金属ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側には、仕事関数の値が4.2 eV〜4.3 eVとなる金属が用いられており、nMOSFETのチャネル領域は、チャネル領域のキャリアと同一導電型の不純物がカウンタドーピングされたカウンタドーピング層が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体層に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのソース領域、チャネル領域およびドレイン領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、少なくともゲート絶縁膜側に仕事関数の値が4.2 eV〜4.3 eVとなる金属が用いられた金属ゲート電極とをそれぞれ具備するnチャネル型の絶縁ゲート型電界効果型トランジスタおよびpチャネル型の絶縁ゲート型電界効果型トランジスタが形成されてなり、前記nチャネル型の絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのチャネル領域は、チャネル領域のキャリアと同一導電型の不純物がカウンタドーピングされたカウンタドーピング層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 301 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 321 C , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 H

Fターム (37件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104EE09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F040DA06 , 5F040DA18 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040EF02 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040FA02 , 5F040FA03 , 5F040FB02 , 5F040FB05 , 5F048AA00 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB18 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048DA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-123439
MOSトランジスタの製造方法およびCMOSトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-108838 出願人：ソニー株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-113447 出願人：セイコー電子工業株式会社

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