特許
J-GLOBAL ID：200903076238666149
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053353
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251685
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 クラックが少なく信頼性が高く、FFPが単峰性を示し、光ディスクなどへの実用に供する低しきい値、低電圧動作を可能にする。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体からなり、MQW活性層118をp型及びn型のAlGaNクラッド層115,121で挟んだダブルへテロ構造を有する半導体レーザにおいて、p型クラッド層121の活性層118と反対側に、クラッド層121よりも吸収率の高いp型InGaN光吸収層122が配置され、さらにそれよりも外側にp型クラッド121層よりも屈折率の低いp型InAlGaN低屈折率層124が配置されている。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだダブルへテロ構造を有する半導体レーザであって、前記クラッド層のうち少なくとも一方のクラッド層の活性層と反対側に、該クラッド層よりも吸収率の高い光吸収層を複数配置、又は該光吸収層と前記クラッド層よりも屈折率の低い低屈折率層を配置してなることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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