特許

J-GLOBAL ID：200903004993566129

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者： 福上 典仁
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226471
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049468
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】EBマスクなどのメンブレンのドライエッチングの際に、メンブレンを破壊することなく、且つエッチング特性を低下することないドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。【解決手段】ステージをいくつかの領域に分割し、各領域毎にステージ温度、熱伝導用ガス流量及び圧力を設定してドライエッチングを行なうこと。1)仕切り25によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、2)分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構27、3)分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構28を具備すること。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板とステージの間に基板の冷却もしくは加熱を促進するための熱伝導用ガスを導入しながらドライエッチングを行なう方法において、ステージをいくつかの領域に分割し、各領域毎にステージ温度、熱伝導用ガス流量及び圧力を設定してドライエッチングを行なうことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L21/302 101G ,  G03F1/16 B ,  H01L21/30 541S

Fターム (9件)：

2H095BA08 ,  2H095BB16 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004EB07 ,  5F056FA05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭58-32410号公報
  
• 特開昭60-115226号公報
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001039   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 温度フィードバックと接触面積が小さくされた圧力ゾーンを有する基板支持体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-109602   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 試料の処理装置及び試料の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-186547   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-047062   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ