特許
J-GLOBAL ID：200903009254504974
温度フィードバックと接触面積が小さくされた圧力ゾーンを有する基板支持体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109602
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041378
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 改良された基板支持体、及び、前記基板支持体の表面に設けた多数の圧力ゾーンを制御する方法を提供すること。【解決手段】 2つのゾーン(68,70)を異なるガス圧力にできるように、異なるゾーン(68,70)間にシール領域(72)が備えられている。高い熱伝達が必要とされる基板(W)の領域に対応するゾーンに、高いガス圧力が提供される。基板支持体(64)とガス圧との間の間隙は、所望の熱伝達量を提供するように、選択される。他の態様では、熱伝達ガスフローを最大にするよう、突出部(66)を用いて基板接触を制限する。閉ループ制御システムは、温度センサ(96)に従い、熱伝達ガス圧力を変化させる。静電チャックに関して、基板の周縁部分に高い静電気力を与えるよう、誘電体(86)の厚さに変化をもたせてある。
請求項（抜粋）：
基板を保持するための基板支持体であって、少なくとも第1のゾーン及び第2のゾーンを有する前記基板支持体の上面と、シール領域と、少なくとも一つの通路とを備え、前記第1及び第2のゾーンのそれぞれが、前記上面と前記基板との間でガスが流れるのを可能とする間隙を有し、前記シール領域が、前記第1のゾーンと前記第2のゾーンとの間の圧力差を維持するように前記第1のゾーンと前記第2のゾーンとの間に形成されており、より多くの熱伝達が必要とされる前記基板の部分に対応するゾーンに、より高いガス圧力が供給されるよう、前記少なくとも一つの通路が前記第1及び第2のゾーンの少なくとも一方に前記ガスを導入するようになっている、基板支持体。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 21/68 R
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
