半導体装置の作製方法並びに熱処理装置及び熱処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-313318
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190452
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の熱処理方法は、ランプ光源から発した光を照射する熱処理方法であって、ランプ光源の1回当たりの発光時間は0.1〜20秒であり、当該ランプ光源からの光を複数回照射することを特徴としている。または、被照射領域の最高温度の保持時間が0.5〜5秒であるようにランプ光源からの光をパルス状に照射することを特徴としている。さらに、ランプ光源の点滅に伴って、冷媒の供給量を増減させることで、半導体膜の熱処理効果を高めると共に、熱による基板のダメージを防ぐことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、前記ランプ光源の1回当たりの発光時間は0.1〜20秒であり、前記ランプ光源の輻射を複数回繰り返すことを特徴とする熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/26 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/26 J , H01L 29/78 627 F , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

Fターム (74件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA24 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA02 , 5F052EA03 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタの製造方法及び液晶ディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199980 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-347887 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-371933 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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