薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-046340
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246555
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】シリコン薄膜に注入した不純物の活性化と、不純物注入により生じたシリコン薄膜のダメージの回復とを同時に行うことのできる薄膜トランジスタの製造方法を実現する。【解決手段】ガラス基板10の上に酸化膜15を堆積し、この酸化膜15上にアモルファスシリコン薄膜20を堆積し、このアモルファスシリコン薄膜20の上にレジスト30を塗布し、ゲート電極と同じパターンに成形する。レジスト30をマスクにして、燐をイオンドープし、ソース・ドレイン領域60を形成する。レジスト30を除去し、アモルファスシリコン薄膜20上からハロゲンランプを用いたランプ光照射50によるアニールを実施する。ランプ光照射50によって、アモルファスシリコン薄膜20は結晶化され、また、不純物の燐も活性化されるとともに、ドーピングにより生じたダメージも回復する。その後、ゲート絶縁膜70およびゲート電極80を形成する。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン薄膜に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記不純物を注入したアモルファスシリコン薄膜にランプ光を照射してランプアニール処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 27/12 R , H01L 21/26 L , H01L 29/78 616 M

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭58-206121
液晶表示パネル及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-218584 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置、半導体装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199979 出願人：三洋電機株式会社

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