特許
J-GLOBAL ID：200903005008555998
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-123837
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308452
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 材料の屈折率が小さい青色或いは紫外光領域でもレーザ端面反射率を大きくできる半導体レーザ装置を提供するものである。【解決手段】 レーザ活性領域とレーザ共振器方向に周期的構造を有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ装置の周期構造が空気と半導体よりなり、下式(1)に示すように上記周期構造における単位周期の光学長すなわち半導体部分の長さdsと当該半導体レーザの導波路の実効屈折率neffの積に空気部分の長さdaを加えた値が発振波長を2で割った値の奇数倍によってなる周期構造であり、上記半導体として、AlxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)若しくはInxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)を使用することを特徴とする。dsneff+da=mλ/2 ...(1)但し、mは奇数、λは波長である。
請求項（抜粋）：
レーザ活性領域とレーザ共振器方向に周期的構造を有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ装置の周期構造が空気と半導体よりなり、上記周期構造における単位周期の光学長すなわち半導体部分の長さと当該半導体レーザの導波路の実効屈折率の積に空気部分の長さを加えた値が発振波長を2で割った値の奇数倍によってなる周期構造であり、上記半導体として、AlxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)若しくはInxGa(1-x)N(但し、0≦x≦1)を使用することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F073AA62
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073DA31
, 5F073EA05
