特許
J-GLOBAL ID：200903026566854257
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-333884
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173282
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【目的】 出力の向上した窒化物半導体よりなるレーザ素子と、その製造方法を提供する。【構成】 基板上に活性層を含む窒化物半導体層を積層する工程と、その窒化物半導体層をエッチングして、対向する窒化物半導体層のエッチング端面に、それぞれ共振面を作製する工程と、共振面作成後、その共振面と共振面との間にある窒化物半導体を劈開する工程とを備えることにより、互いに反射率の異なる共振面を有する窒化物半導体レーザ素子を作製する。
請求項（抜粋）：
基板上に活性層を含む窒化物半導体層が積層されて、その窒化物半導体層端面に互いに対向する共振面を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記共振面の一方は窒化物半導体のエッチング面であり、もう一方の共振面は窒化物半導体の劈開面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
引用特許：
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