半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321763
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141884
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】半導体記憶装置の書き込み、読み出し、及び消去を同時に行うページサイズ、ブロックサイズを、用途に応じて容易に最適化可能とする。【解決手段】複数の標準的なサブセルアレイを有する素子を用いて、ユーザが外部からコマンドを入力することにより、又は出荷の段階で僅かな工程を加えることにより、書き込み、読み出しのページサイズを自由に選択することができるようにし、システム設計において、書き込み、読み出し、消去の単位を用途に応じて最適化することにより、最高のシステム性能を達成することができる。このようにすれば、世代間の素子の互換性の点でも有利な結果が得られる。

請求項（抜粋）：

電気的書き替え可能なメモリセルがマトリックス状に配置され、複数個のメモリセルで構成される単位であるメモリセルページを複数含んでなるサブセルアレイと、前記複数のサブセルアレイを含んでなるメモリセルアレイとを具備する半導体記憶装置において、読み出しあるいは書き込みに際して、同一の前記サブセルアレイ中における複数の前記メモリセルページが同時に選択されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06

FI (4件)：

G11C 17/00 611 G , G11C 17/00 613 , G11C 17/00 622 E , G11C 17/00 633 A

Fターム (11件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD02 , 5B025AD03 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD06 , 5B025AD09 , 5B025AE00

引用特許：

審査官引用 (5件)

多重誤り訂正回路を内蔵する半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-188179 出願人：三星電子株式会社
特開平1-125800
特開昭63-282995

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