凹凸面を有するバンプの形成方法およびそのバンプを有する半導体装置の実装方法および半導体ユニット

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武田元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007020
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283537
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置と回路基板とを、容易に、信頼性よく、かつ微細ピッチで電気的に接続する。【構成】砥粒を有する研磨シート5を備えた平面土台6の上に、バンプ3が研磨シート5に当接するように、半導体装置(IC基板)1をフェイスダウンで設置し、半導体装置を平面土台6に対して押圧しながら、押圧する方向に垂直な平面内で該平面土台6を超音波振動させることによって、バンプ3の先端部に凹凸面4を形成する。【効果】バンプの構造や材質,製造方法によって制限されることなく、バンプの先端部に容易に微細な凹凸面4を形成することができ、バンプ3の先端部の酸化膜や不純物を排除することができ、より信頼性の高い電気的接続と接着を実現できる。また、バンプ3と入出力端子電極8との接続表面積が増加するため、接着強度および電気的導通を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

回路基板の表面の端子電極と、前記回路基板の表面上にフェイスダウン状態で実装される半導体装置の電極パッドとを電気的に接続するためのバンプを形成する方法であって、前記バンプを前記半導体装置の電極パッド上に形成する工程aと、砥粒を有するシートが表面に備えられている平面土台の上に、前記バンプが前記砥粒を有するシートに当接するように、前記半導体装置をフェイスダウンで設置する工程bと、前記半導体装置を前記平面土台に対して押圧しながら押圧する方向に垂直な平面内で前記平面土台を超音波振動させ、前記バンプの先端部に凹凸面を形成する工程cとを含むことを特徴とする凹凸面を有するバンプの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-101753
特開昭61-267349
特開平4-323838

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