特許
J-GLOBAL ID：200903005094413874

キャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法

発明者：
セシュ ビー.デス

セシュ ビー.デス について

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ジェー シー

ジェー シー について

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チン-チャン ペン

チン-チャン ペン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027602
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 疲労劣化の少ないキャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 頂部および底部(Ba1-xSrx)RuO3電極により挟持された強誘電体薄膜ペロブスカイト(Ba1-xSrx)TiO3層を有するキャパシタが提供される。このキャパシタは、半導体基板を設ける工程と、基板を加熱する工程と、基板を少なくともRu(C5H5)2を含んでいる前駆体に曝す工程と、引き続き、基板を少なくともTiO(OC2H5)4を含んでいる前駆体に曝す工程と、引き続き、基板を少なくともRu(C5H5)2を含んでいる前駆体に曝す工程と、を包含しているMOCVDプロセスにより製造される。
請求項（抜粋）：
(Ba1-xSrx)RuO3からなる頂部電極および底部電極と、該頂部電極および該底部電極の間に形成された(Ba1-xSrx)TiO3からなる強誘電体層と、を備えているキャパシタ。
IPC (8件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/316
FI (6件)：
H01L 27/10 651 ,  C30B 29/22 Z ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 21/316 X ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032072   出願人：三菱電機株式会社
  • 強誘電性素子のための多層電極
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086509   出願人：シャープ株式会社
  • 薄膜キャパシタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-227381   出願人：日本電気株式会社

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