特許
J-GLOBAL ID：200903005096221905

ガスクラスターイオンビームの改良された処理方法および装置

発明者：
スウェンソン,デービッド,アール.

スウェンソン,デービッド,アール. について

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ハウタラ,ジョン,ジェイ.

ハウタラ,ジョン,ジェイ. について

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グウィン,マシュー,シー.

グウィン,マシュー,シー. について

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マック,ミカエル,イー.

マック,ミカエル,イー. について

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タバト,マーチン,イー.

タバト,マーチン,イー. について


出願人/特許権者：
エピオン コーポレーション

エピオン コーポレーション について


代理人 (4件)： 廣江 武典 ,  武川 隆宣 ,  ▲高▼荒 新一 ,  西尾 務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-504128
公開番号（公開出願番号）：特表2007-529876
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
ガスクラスターイオンビーム(GCIB)中のガスクラスターイオンエネルギー分布を修飾して、対象物を処理するための改良された装置および方法に関する。減圧環境下で、ビームに加圧領域を通過させることにより、高エネルギーガスクラスターイオンを発生させるものである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
修飾されたガスクラスターイオンエネルギー分布を持つガスクラスターイオンビームの発生装置であって、 減圧された減圧チャンバと、 ガスクラスターイオンビーム通路を有する高エネルギーガスクラスターイオンビーム発生のための、前記チャンバ内のガスクラスターイオンビーム源と、 減圧チャンバ内の、減圧を上回る平均圧力を有する圧力コントロール領域と、 を含んで構成され、ガスクラスターイオンビーム通路の少なくとも一部が前記圧力コントロール領域を通ることによって、圧力コントロール領域のより高い圧力により修飾されることを特徴とする装置。
IPC (7件)：
H01J 27/20 ,  H01J 37/317 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/08 ,  C23C 14/32 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/205
FI (7件)：
H01J27/20 ,  H01J37/317 E ,  H01J37/305 A ,  H01J37/08 ,  C23C14/32 F ,  H01L21/302 201B ,  H01L21/205
Fターム (20件)：
4K029CA03 ,  4K029DD03 ,  5C030DD04 ,  5C030DE05 ,  5C030DE09 ,  5C030DG03 ,  5C030DG07 ,  5C034BB09 ,  5C034CC01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB32 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F045AA15 ,  5F045EH18 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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