特許
J-GLOBAL ID：200903005104167664
ケイ素誘導体又はケイ素を基材とした分離材料の層のための新規な化学機械的研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安達 光雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306467
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031675
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 ケイ素又はケイ素誘導体を基材とする分離材料の層の化学機械的方法の改良に関する。【解決手段】 分離材料の層の研磨を、懸濁媒体としての水、及びシロキサン結合によって結合されていない、個々に分離したコロイドシリカ粒子を含有するコロイドシリカの酸性水性溶液を含む研磨材と作用状態にもたらす布帛を用いて前記層を擦ることによって行う。
請求項（抜粋）：
ケイ素又はケイ素誘導体を基材とした分離材料の層のための化学機械的研磨方法であって、分離材料層の摩耗を、研磨材を含有する布帛を用いて前記層を擦ることによって行う方法において、研磨材が、シロキサンによって結合されていない、個々に分離したコロイドシリカ粒子を含有するコロイドシリカの酸性水性懸濁液及び懸濁液媒体としての水を含有することを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 37/00
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
, B24B 37/00 H
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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