特許

J-GLOBAL ID：200903005123129854

半導体装置およびその製造方法

発明者： 和田 純一 ,  及川 靖 ,  堅田 富夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369469
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156357
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】半導体装置は、半導体基板の一主面上の層間絶縁膜に形成された配線溝内にAl配線層を埋設し、基板上に配設されているAl配線と接続する構造であり、前記配線溝内側と前記Al配線層との間に、少なくともNbライナー膜及びNbAl合金膜を介在させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に形成され、凹部を有する層間絶縁膜と;前記凹部の内部に形成されたNbとNbNのいずれか一方から成るライナー膜と;前記ライナー膜を有する前記凹部内に形成されるAlを主成分とするAl配線層と;前記ライナー膜と前記Al配線層との界面と、層間絶縁膜と前記Al配線層との界面とのいずれか一方に形成されたNbAl合金と;より成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/90 B

Fターム (28件)：

4M104AA01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB29 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD78 ,  4M104HH01 ,  4M104HH09 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033LL07 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033WW00 ,  5F033XX05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231284   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-272049
  
• パターニングされた絶縁体層内に金属ラインを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-181491   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• アルミニウム接点の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-340051   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション