特許
J-GLOBAL ID：200903005132807970

半導体デバイスのキャパシタの製造方法

発明者：
サン・ホ・ソン

サン・ホ・ソン について


出願人/特許権者：
エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-355955
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238863
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタの下部電極の形成時に形成させる半球形結晶のサイズや密度を大きくする。【解決手段】 基板上に、非晶質シリコンからなる下部電極を形成した後、非晶質シリコンの結晶化温度を低くする物質を下部電極の表面に含ませて熱処理を施し、下部電極の表面を半球形結晶に形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、非晶質シリコンからなる下部電極を形成する工程と、非晶質シリコンの結晶化温度を低くする物質を下部電極の表面に含ませる工程と、熱処理を施して下部電極の表面部に半球形結晶を形成する工程と、下部電極上に誘電膜を、誘電膜上に上部電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体デバイスのキャパシタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)

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