特許
J-GLOBAL ID：200903009146325109
半球粒状ポリシリコン半導体構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大橋 邦彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-503557
公開番号（公開出願番号）：特表2001-510945
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：
【要約】単位セル面積当たりの容量が高められたキャパシタが提供される。【解決手段】基板で支持されたコンテナが形成され、それに実質的に未ドープ状態の無定形シリコンから成る第1層が追従される。次に、重くドープされた無定形シリコンから成る第2層が第1層上に形成される。未ドープ状態の無定形シリコンから成る第2層がそのドープされた層上に形成される。これらの層は非酸化性環境で形成されるので、それらの層間に酸化物が何等形成されない。こうして形成された構造は平面化されて、ドープされた無定形シリコン層と未ドープ状態の無定形シリコン層とから成る複数の別個のコンテナを形成する。次いで、任意の残存する酸化物が外部側壁から除去される。第1及び第2の未ドープ状態の層の内の選択されたものが播種されアニーリングされて、それら第1及び第2の層をHSGに変換する。誘電体層及び第2電極が形成されて、セル・キャパシタを完成する。
請求項（抜粋）：
基板で支持されると共に壁部及び底部を有する開口部内にキャパシタの内の少なくとも一部を形成する方法であって、 前記開口部内に実質的に未ドープ状態の無定形シリコンから成る層を形成する段階と、 前記実質的に未ドープ状態の無定形シリコンから成る層上に重くドープされたシリコンから成る層を形成する段階と、 前記重くドープされたシリコンから成る層上に実質的に未ドープ状態の無定形シリコンから成る別の層を形成する段階と、 絶縁層の内の選択された部分を除去して、前記開口部の壁部上に形成された前記シリコン層の各種部分を含むピラーを露出する段階と、 前記未ドープ状態の無定形シリコン層に播種する段階と、 前記シリコン層をアニーリングして、前記未ドープ状態のシリコン層をHSGに変換する段階と、の諸段階を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
