特許

J-GLOBAL ID：200903005173429425

レジスト組成物及びレジスト組成物を用いたパターン形成方法

発明者： 和田 健二
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-169152
公開番号（公開出願番号）：特開2009-008824
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】液浸露光に於いて、液浸液に対する後退接触角が大きく、パターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが改良され、且つ液浸液への酸の溶出性が抑制されたレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)疎水性樹脂及び(D)溶剤を含有し、疎水性樹脂(C)を含有しないレジスト膜の後退接触角が、50度以上であるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (C)疎水性樹脂及び (D)溶剤 を含有し、疎水性樹脂(C)を含有しないレジスト膜の後退接触角が、50度以上であることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/023 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/22 ,  C08F 30/08

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/023 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/22 ,  C08F30/08

Fターム (33件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB10P ,  4J100AE09P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL26P ,  4J100AP16Q ,  4J100BA72Q ,  4J100BA75Q ,  4J100BA76Q ,  4J100BA81Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭57-153433号公報
  
• パターン形成方法及びその露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008136   出願人：株式会社日立製作所
• ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004002179   出願人：東京応化工業株式会社
• 国際公開WO2004-068242号パンフレット
  

審査官引用 (4件)

• 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-196529   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-061749   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-028994   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-005848   出願人：信越化学工業株式会社