特許

J-GLOBAL ID：200903001170950706

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 金子 達志 ,  畠山 潤 ,  原田 裕次
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-005848
公開番号（公開出願番号）：特開2007-297590
出願日： 2007年01月15日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト組成物の水への溶出を抑制でき、水に対して高い後退接触角を有し、保護膜を必要とせずに優れたプロセス適用性を有する液浸リソグラフィー用として有効で、微細なパターンを高精度で形成することができるレジスト材料、及びこのような材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト材料。 【化66】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト材料。

IPC (3件)：

C08F 220/28 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (32件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AE09P ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15P ,  4J100BB10Q ,  4J100BB12P ,  4J100BB12Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-132081   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (5件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-061749   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-122330   出願人：東京応化工業株式会社
• 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-006013   出願人：東京応化工業株式会社
• 含フッ素単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-182027   出願人：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-012135   出願人：信越化学工業株式会社