特許
J-GLOBAL ID：200903005225309318

チップ増強ラマンプローブ及びその製造方法

発明者：
田口 敦清

田口 敦清 について

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早澤 紀彦

早澤 紀彦 について

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齊藤 結花

齊藤 結花 について

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河田 聡

河田 聡 について


出願人/特許権者：
独立行政法人理化学研究所

独立行政法人理化学研究所 について


代理人 (4件)： 川口 嘉之 ,  松倉 秀実 ,  和久田 純一 ,  遠山 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-332046
公開番号（公開出願番号）：特開2009-156602
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】所望のプラズモン共鳴波長を有するチップ増強ラマンプローブを提供する。【解決手段】Si製のプローブの表面を熱酸化しSiO2ガラスとし、その表面を銀で被膜することによって3層構造のチップ増強ラマンプローブを製造する。最初に用意するSi製のプローブの形や銀コートの膜厚を一定としつつ、熱酸化の処理時間を調整してSi層とSiO2層の比を変化させることで、プローブの実効的屈折率が制御可能となり、最終的にプローブのプラズモン共鳴波長を連続的に調整可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si製のプローブの表面を熱酸化させる工程と、 熱酸化されたプローブの表面に金属を被膜する工程と、 を含むチップ増強ラマンプローブの製造方法。
IPC (4件)：
G01N 13/14 ,  G01N 21/65 ,  G01N 21/27 ,  G12B 21/06
FI (5件)：
G01N13/14 101C ,  G01N21/65 ,  G01N21/27 C ,  G01N13/14 101B ,  G12B1/00 601C
Fターム (18件)：
2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA03 ,  2G043FA02 ,  2G043GA02 ,  2G043GA03 ,  2G043GA04 ,  2G043GA07 ,  2G043GA08 ,  2G043HA01 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G059AA02 ,  2G059BB08 ,  2G059EE03 ,  2G059GG01 ,  2G059JJ11 ,  2G059KK04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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