特許

J-GLOBAL ID：200903005260280616

薄膜ガスセンサおよびその製造方法

発明者： 卜部 恭一
出願人/特許権者： 富士電機機器制御株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-331868
公開番号（公開出願番号）：特開2005-098798
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】金属酸化物半導体層と金属電極層との界面に生じる接触抵抗の低く、ガス検出感度の低下や検出レベルの変動の少ない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】金属酸化物半導体の薄膜からなり、金属薄膜からなる電極3を備えたガス感応部2が絶縁体薄膜1上に形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記電極3の前記ガス感応部2に隣接する部分(接合層)を前記金属酸化物半導体の成分金属(第1の金属)と他の金属(第2の金属)(薄膜31)との金属間化合物Kからなるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体の薄膜からなり、金属薄膜からなる電極を備えたガス感応部が絶縁体薄膜上に形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記電極の前記ガス感応部に隣接する部分(接合層)は前記金属酸化物半導体の成分金属(第1の金属)と他の金属(第2の金属)との金属間化合物からなることを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N27/12

FI (3件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C ,  G01N27/12 M

Fターム (19件)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046DC13 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE02 ,  2G046FE25 ,  2G046FE39 ,  2G046FE48

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-105840   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 薄膜ガスセンサー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-351119   出願人：株式会社リケン

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-065351
  
• 薄膜回路を備えるモジュール、薄膜回路を備えるモジュールの製造方法および薄膜回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-384225   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• ガス検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160138   出願人：株式会社島津製作所
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096951   出願人：富士電機株式会社