特許
J-GLOBAL ID：200903005271906592

low-k絶縁材料用のCMP組成物

発明者：
モ-ゲンボーグ,ケビン ジェイ.

モ-ゲンボーグ,ケビン ジェイ. について

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キュー,ホーマー

キュー,ホーマー について

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ホーキンス,ジョセフ ディー.

ホーキンス,ジョセフ ディー. について

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チェンバーレイン,ジェフリー ピー.

チェンバーレイン,ジェフリー ピー. について


出願人/特許権者：
キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション

キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-511407
公開番号（公開出願番号）：特表2005-529485
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
本発明は、(i)絶縁層を含んでなる基板を、(a)研磨剤、研磨パッド、またはそれらの組み合わせ;(b)両親媒性非イオン界面活性剤;および(c)液体キャリアを含む化学的機械的研磨系に接触させる工程;ならびに(ii)基板の少なくとも1部分を摩耗させて前記絶縁層を研磨する工程を含んでなる基板の研磨方法を提供する。
請求項（抜粋）：
(i)絶縁層を含んでなる基板を、 (a)研磨剤、研磨パッド、またはそれらの組み合わせ; (b)両親媒性非イオン界面活性剤;および (c)液体キャリア を含む化学的機械的研磨系に接触させる工程;ならびに (ii)基板の少なくとも1部分を摩耗させて前記絶縁層を研磨する工程 を含んでなる基板の研磨方法であって、 前記絶縁層が3.5以下の誘電率を有している、基板の研磨方法。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14
FI (6件)：
H01L21/304 622X ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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