特許
J-GLOBAL ID：200903005278506085

T型構造のナノチューブおよび電界効果トランジスタ並びにそれらの製造方法

発明者：
河合 孝純

河合 孝純 について

, 
宮本 良之

宮本 良之 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-038910
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228864
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】 ナノチューブとナノチューブとがSP3結合で接合されるようにして、チャネルとゲートの双方をナノチューブとするトランジスタを実現できるようにする。【解決手段】 一対のソース・ドレイン電極27とゲート端子28が形成された基板を用意し〔(a)図〕、ソース・ドレイン電極27の一方に触媒層20を形成する〔(b)図〕。触媒層20を書くとしてCNTを成長させ〔(c)図〕、一対のソース・ドレイン電極27間に第1のCNT23を形成する〔(d)図〕。把持手段25により第2のCNT24を採取し、必要に応じて電子ビームなどを用いてキャップを除去し開口部を清浄化した後、その開口部を第1のCNT23の側面に接触させ、二つのCNTを結合する〔(e)図〕。第2のCNT24の他端をゲート端子28上に位置づける〔(f)図〕。金属イオンを選択的に照射して、CNTの端部を電極、端子上に固定する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1のナノチューブの側面と、第2のナノチューブの開口部先端とがSP3結合していることを特徴とするT型構造のナノチューブ。
IPC (6件)：
H01L 29/80 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L29/80 A ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M
Fターム (32件)：
4G146AA12 ,  4G146AD21 ,  4G146BA04 ,  4G146BC09 ,  4G146CB16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC03 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F110AA26 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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