特許
J-GLOBAL ID：200903026969124283

カーボンナノチューブゲート電界効果トランジスタとその製造方法、及び微細パターン形成方法

発明者：
粟野 祐二

粟野 祐二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305566
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109974
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】 寸法の揺らぎのない微細ゲートを備えた電界効果トランジスタと、そのような微細構造の形成を可能にする微細パターン形成方法を提供すること。【解決手段】 キャリヤを供給するソース21と、キャリヤを受け取るドレイン22と、それらの間の電流通路であるチャネルの導電率を変化させるゲート23を含む電界効果トランジスタにおいて、ゲート23として、金属性のカーボンナノチューブで作られたものを使用する。一方、寸法の揺らぎのないカーボンナノチューブをパターニングのマスクとして用いることで、微細パターンを容易に形成することができる。
請求項（抜粋）：
キャリヤを供給するソースと、キャリヤを受け取るドレインと、それらの間の電流通路であるチャネルの導電率を変化させることによりチャネルを流れる電流を制御する電流制御電極としてのゲートを含む電界効果トランジスタであって、当該ゲートが金属性のカーボンナノチューブで作られていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (10件)：
H01L 21/338 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (9件)：
C23C 16/26 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 29/06 601 N ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 M ,  H01L 29/50 J ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/62 Z
Fターム (40件)：
4K030BA27 ,  4K030FA17 ,  4K030JA14 ,  4M104AA04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD43 ,  4M104DD46 ,  4M104DD52 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F004AA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB08 ,  5F004EA05 ,  5F004EB02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102GT10 ,  5F102GV07 ,  5F102HC24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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