特許
J-GLOBAL ID：200903005306493725
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365645
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188440
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 ジャンクションダウンマウントに耐え得るレーザ構造層上にリッジストライプを有するリッジ型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】レーザ構造層上にリッジストライプを有するリッジ型半導体レーザの製造方法であって、レーザ構造層上にリッジストライプ材料のクラッド層及び必要なコンタクト層を順に積層したレーザ基板を形成する工程と、両側平坦部とこれらから突出し平坦上面部を有するリッジストライプとを形成すべく、リッジストライプパターンのストライプ電極をクラッド層及び必要なコンタクト層上に形成する工程と、ストライプ電極で覆われたクラッド層以外のクラッド層部分を食刻してリッジストライプ及び両側平坦部を形成する工程と、レーザ構造層の屈折率より低い屈折率を有するAlNを主成分とする多結晶絶縁材料を両側平坦部上に堆積してリッジストライプを挟む埋め込み層を形成する工程と、ストライプ電極を露出せしめ平坦上面部を形成する工程と、平坦上面部上に電極を形成する工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
レーザ構造層上にリッジストライプを有するリッジ型半導体レーザの製造方法であって、レーザ構造層上にリッジストライプ材料のクラッド層及び必要なコンタクト層を順に積層したレーザ基板を形成する工程と、両側平坦部とこれらから突出し平坦上面部を有するリッジストライプとを形成すべく、リッジストライプパターンのストライプ電極を前記クラッド層及び必要なコンタクト層上に形成する工程と、前記ストライプ電極で覆われたクラッド層以外のクラッド層部分を食刻してリッジストライプ及び両側平坦部を形成する工程と、レーザ構造層の屈折率より低い屈折率を有するAlNを主成分とする多結晶絶縁材料を前記両側平坦部上に堆積して前記リッジストライプを挟む埋め込み層を形成する埋め込み層形成工程と、前記ストライプ電極上の層を除去し前記ストライプ電極を露出せしめ平坦上面部を形成する工程と、前記平坦上面部上に電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザ製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 665
, H01L 33/00 C
5F041AA33
, 5F041AA44
, 5F041CA34
, 5F041CA65
, 5F041DA04
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA28
