基板の製造方法及びこれに用いる蒸着装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-127178
公開番号（公開出願番号）：特開2008-007852
出願日： 2007年05月11日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】半導体基板や電子基板等に好適な、銅の純度が高くかつ微細な銅層を安全かつ安価に製造するための基板の製造方法及びこれに用いる蒸着装置を提供する。【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基材と、前記基材上に形成された銅層とを含む基板の製造方法であって、前記銅層の構成材料を含む銅層形成用材料と前記基材とを、前記銅層形成用材料の鉛直方向上側において前記基材が前記銅層形成用材料に対向するようにそれぞれ配置する工程と、前記銅層形成用材料を90〜200°Cの温度範囲に加熱し、かつ前記基材を120〜450°Cの温度範囲に加熱することにより、前記基材上に銅を蒸着させて前記銅層を形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材と、前記基材上に形成された銅層とを含む基板の製造方法であって、前記銅層の構成材料を含む銅層形成用材料と前記基材とを、前記銅層形成用材料の鉛直方向上側において前記基材が前記銅層形成用材料に対向するようにそれぞれ配置する工程と、前記銅層形成用材料を90〜200°Cの温度範囲に加熱し、かつ前記基材を120〜450°Cの温度範囲に加熱することにより、前記基材上に銅を蒸着させて前記銅層を形成する工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/16 , H01L 21/285 , H05K 3/00

FI (3件)：

C23C16/16 , H01L21/285 P , H05K3/00 R

Fターム (18件)：

4K030AA12 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA22 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104BB04 , 4M104DD34

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置のAl系合金配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-159627 出願人：株式会社神戸製鋼所
半導体装置および半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-100697 出願人：三洋電機株式会社
半導体素子製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-193081 出願人：日本電気株式会社

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