特許
J-GLOBAL ID：200903077088774041
半導体素子製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023932
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 電化メッキ法による半導体ウエハ上への銅薄膜形成において、ウエハ表面に銅薄膜を均一に形成し、銅薄膜内のボイドを低減させ、完全な銅配線を形成する。【解決手段】 半導体ウエハ(1)とそれに接触した電解質水溶液(2)間に電流を通電しながら、水溶液に半導体ウエハに対して垂直な縦磁界を水溶液タンク(6)の外部の磁石(5)より印加する。
請求項（抜粋）：
半導体素子表面に膜を形成する工程に関連し、半導体素子表面を電解質水溶液に接触させ、半導体素子表面と電解質水溶液間に電流を通電する工程において、電解質水溶液に磁界を印加することを特徴とする半導体素子製造方法。
Fターム (9件)：
4M104AA01
, 4M104BB04
, 4M104CC01
, 4M104DD06
, 4M104DD52
, 4M104FF21
, 4M104GG13
, 4M104HH13
, 4M104HH20
