特許
J-GLOBAL ID：200903058132570705

半導体装置のAl系合金配線形成方法

発明者：
大西 隆

大西 隆 について

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安永 龍哉

安永 龍哉 について

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藤井 秀夫

藤井 秀夫 について

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吉川 哲也

吉川 哲也 について

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宗政 淳

宗政 淳 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159627
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340640
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用の配線の形成方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された凹部3を有する絶縁膜2の表面に、AlまたはAl合金(以下「Al系金属」という)よりなる薄膜5をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Al系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。スパッタリングガス圧:0.5〜1.1mTorr、放電パワー密度:3〜15W/cm2、基板温度:100〜300°C【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に形成された凹部を有する絶縁膜の表面に、AlまたはAl合金(以下「Al系金属」という)よりなる薄膜をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Al系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置のAl系合金配線形成方法。 スパッタリングガス圧:0.5〜1.1mTorr 放電パワー密度:3〜15W/cm2 基板温度:100〜300°C
IPC (3件)：
H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205
FI (4件)：
H01L21/285 S ,  H01L21/285 301 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 N
Fターム (29件)：
4M104BB02 ,  4M104BB32 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104FF27 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW07 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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