特許
J-GLOBAL ID：200903005373898616
積層型半導体セラミック素子および積層型半導体セラミック素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225482
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052904
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 PTC特性のよい積層型であって、室温抵抗値を低く抑え、かつ、耐電圧を15V以上に向上させた積層型半導体セラミック素子を提供する。【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分し、ニッケル元素を0.2mol%以下(ただし、0mol%は除く)含有する半導体セラミックからなる半導体セラミック層5と、内部電極層7とを交互に重ね合わせ、内部電極層7と電気的に接続するように外部電極9を形成する。また、チタン酸バリウムを主成分とし、ニッケル元素を0.2mol%(ただし、0mol%は除く)含有する半導体材料層と、内部電極層とを重ね合わせた積層体を得る工程と、積層体を還元焼成して積層焼結体を得る工程と、積層焼結体の内部電極と電気的に接続するように、外部電極を形成する工程と、積層焼結体を再酸化処理する工程とで製造する。
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とする半導体セラミックからなる半導体セラミック層と、内部電極層とを交互に重ね合わせ、前記内部電極層と電気的に接続するように外部電極を形成してなる積層型半導体セラミック素子であって、前記半導体セラミックは、ニッケル元素を0.2mol%以下(ただし、0mol%は除く)含有してなることを特徴とする積層型半導体セラミック素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4G031AA06
, 4G031AA11
, 4G031AA28
, 4G031AA39
, 4G031BA05
, 4G031CA03
, 4G031CA07
, 4G031GA10
, 4G031GA17
, 5E034AA07
, 5E034AA08
, 5E034AB01
, 5E034AC05
, 5E034DA07
, 5E034DC03
, 5E034DE09
, 5E034DE12
