特許

J-GLOBAL ID：200903005412754139

成膜装置、成膜方法、プログラムおよび記録媒体

発明者： 小林 洋克 ,  仲野 哲也 ,  小泉 雅人
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-313936
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128370
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】 金属アルコキシドよりなる成膜ガスを用いた成膜方法においいて、処理容器内のアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶出を抑制し、被処理基板の汚染を抑制した清浄な成膜を実施可能とする。【解決手段】 処理容器内に保持された被処理基板上に薄膜を成膜する成膜方法であって、 前記被処理基板を加熱する工程と、前記処理容器内に成膜ガスを供給する工程と、を有し、前記成膜ガスは、金属アルコキシドよりなり、前記処理容器はアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなり、当該処理容器の内壁面には無孔質陽極酸化被膜よりなる保護膜が形成されていることを特徴とする成膜方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

処理容器内に保持された被処理基板上に薄膜を成膜する成膜方法であって、 前記被処理基板を加熱する工程と、 前記処理容器内に成膜ガスを供給する工程と、を有し、 前記成膜ガスは、金属アルコキシドよりなり、前記処理容器はアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなり、当該処理容器の内壁面には無孔質陽極酸化被膜よりなる保護膜が形成されていることを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/44 A ,  H01L21/31 B

Fターム (20件)：

4K030AA11 ,  4K030DA06 ,  4K030KA17 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  5F045AA04 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F058BA05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 枚葉式の熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-185594   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開2000-367877号公報
  
• 表面処理アルミニウム材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344191   出願人：三菱アルミニウム株式会社
• アルミニウム材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-115146   出願人：三菱アルミニウム株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-353312   出願人：東京エレクトロン株式会社
• アルミニウム材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-115146   出願人：三菱アルミニウム株式会社
• 表面処理アルミニウム材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344191   出願人：三菱アルミニウム株式会社