特許
J-GLOBAL ID：200903022949660191

半導体製造装置のクリーニング方法

発明者：
佐久間 健

佐久間 健 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313727
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 常時、所要のクリーニング清浄化が可能で、量産的な製造プロセスに適する半導体製造装置のクリーニング方法の提供。【解決手段】 シリコンウェハに加工処理を施す加工処理室を具備する半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記加工処理室内を、ハロゲン系ガス雰囲気下で熱処理し、次いで還元性ガス雰囲気下で熱処理した後に、酸化性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法である。また、上記工程においてハロゲン系ガス雰囲気下での熱処理の前に、還元性ガス雰囲気下で熱処理を行うことにより、加工処理室構成材料を腐食させることもなく、さらにクリーニングの効果が改善される。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハに処理を施す処理室を具備する半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記処理室内を、ハロゲン系ガス雰囲気下で熱処理した後、還元性ガス雰囲気下で熱処理し、次いで酸化性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 N
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  5F004AA15 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA20 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB14 ,  5F045EB06
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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